삼성전자가 차세대 AI 시대를 겨냥한 메모리 기술 로드맵을 공개했다.

삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 'zHBM'과 'zNAND-O' 목업을 업계 최초로 공개했다고 5일 밝혔다.

이번 전시에서는 약 20평 규모의 전시 공간을 마련해 AI 클라우드 서버를 형상화한 부스를 구성하고, D램과 NAND, 스토리지를 포함한 약 30개 제품을 선보였다. 전시장은 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 중심으로 꾸며졌다.

행사 첫날에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 기조연설에 나서 AI 혁신을 위한 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다. 이 자리에서는 400단 이상 적층 구조를 적용한 'V10 BV-NAND'도 업계 최초로 공개됐다.

삼성전자가 제시한 zHBM은 기존처럼 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식을 넘어 AI 가속기 위에 메모리를 직접 적층하는 구조다. 데이터 이동 거리를 줄여 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력효율을 구현하고, 열 저항도 절반 이상 낮출 수 있도록 설계됐다. 인터레이어에 고객 맞춤형 IP를 추가해 용량과 성능을 최적화할 수 있는 점도 특징이다.

zNAND-O는 V-NAND 수직 적층 기술과 TSV를 결합한 차세대 NAND 솔루션이다. 4단 또는 8단 3D 패키징 구조를 적용해 공간 효율과 데이터 처리 성능을 높였으며, 온디바이스 AI 환경에서 실시간 대규모 데이터 처리를 지원하도록 개발됐다.

함께 공개된 'V10 BV-NAND'는 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술을 기반으로 400단 이상 적층을 구현한 제품이다. 메모리 집적도를 전 세대보다 약 58% 높였으며 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 개선해 차세대 고용량 NAND 경쟁력을 강화했다.

이 밖에도 삼성전자는 HBM4E와 HBM5 목업, LPDDR5X-PIM, 기업용 SSD인 PM1763과 BM1773 등을 전시하며 AI 데이터센터를 겨냥한 메모리·스토리지 포트폴리오를 소개했다.

삼성전자는 "메모리부터 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 원스톱 솔루션을 바탕으로 차세대 AI 인프라를 위한 메모리 기술 혁신을 이어가겠다"고 밝혔다.