삼성전자 HBM4 제품 /삼성전자 제공

삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 열리는 글로벌 AI 기술 행사에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술력을 선보인다.

삼성전자는 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 개최되는 ‘엔비디아 GTC(GPU Technology Conference)’에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 AI 플랫폼을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 공개한다고 밝혔다.

삼성전자는 전시장에 ‘HBM4 Hero Wall’을 설치해 HBM4 기술을 비롯해 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 강조했다. 또한 ‘엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)’를 통해 양사의 AI 협력 관계를 소개했다.

이번 행사에서 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이를 적용한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 공개했다. 이 기술은 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 적층 구조를 지원하는 것이 특징이다.

삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’에 필요한 메모리와 스토리지를 공급할 수 있는 토털 솔루션 역량도 강조했다. 전시에는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763 등이 함께 공개됐다.

행사 둘째 날인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 메모리 전략을 소개할 예정이다.