SK하이닉스는 2세대 10나노급 DDR5를 개발했다고 15일 밝혔다.

이 제품은 이전 세대인 DDR4 대비 동작 전압이 기존 1.2V에서 1.1V로 낮아져 전력 소비량이 30% 감축됐다. 전송 속도는 3200Mbps에서 5200Mbps로 1.6배가량 향상됐다. 이는 FHD급 영화 11편에 해당되는 41.6GByte의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

이번에 칩셋 업체에 제공된 제품은 서버와 PC용이다. JEDEC DDR5 표준에 맞춰 데이터를 저장하는 셀 영역의 단위 관리 구역을 16개에서 32개로 확장하고 한번에 처리하는 데이터의 수도 8개에서 16개로 늘렸다.

또한 초고속 동작 특성을 확보하기 위한 기술들도 적용됐다. D램의 읽기·쓰기 회로를 최적의 상태로 조정하는 고속 트레이닝 기술, 전송 잡음을 제거하는 DFE, 명령어 및 데이터 처리를 병렬화하기 위한 4페이즈 클로킹, 읽기 데이터의 왜곡이나 잡음을 최소화하기 위한 저잡음·고성능 DLL 및 DCC회로 등 신기술이 적용돼 데이터 처리 속도가 크게 개선됐다.

조주환 SK하이닉스 D램개발사업 VPD담당 상무는 "JEDEC 표준 규격의 DDR5 D램 제품을 만든 기술 경쟁력을 기반으로, DDR5 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 고객 수요에 적극 대응할 계획이다"라고 말했다.

한편, 시장조사기관 IDC는 2020년부터 DDR5 수요가 본격적으로 발생하기 시작해 2021년에는 전체 D램 시장의 25%, 2022년에는 44%로 지속 확대될 것으로 예상했다.