삼성전자가 4분기에 세계 최초로 4세대(64단) V낸드를 출시한다.

삼성전자는 10일 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016'에서 차세대 V낸드 솔루션을 공개했다고 밝혔다. 플래시 메모리란 램과 함께 메모리 반도체의 양대산맥으로 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 기억장치를 말한다.

삼성전자는 이번 서밋에서 64단 낸드 기술을 바탕으로 3차원 메모리 기술 리더십을 강화하고, 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 테라 시대를 주도할 중장기 전략을 공개했다.

삼성의 플래시 메모리 전략은 고용량, 고성능, 초소형 솔루션으로 기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드, 고용량 서버용 32TB SAS SSD, 울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD, 하이엔드용 Z-SSD 등 4세대 V낸드를 기반으로 한 혁신 신제품을 공개했다.

4세대 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀을 기존 48단보다 1.3배 더 쌓아올린 혁신기술이 적용됐다. 이 기술을 통해 512Gb까지 구현 가능한 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있고 입출력 속도를 800Mbps까지 높였다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 1세대 V낸드(24단)를 양산하며 3차원 메모리 반도체 시대를 개척했고 매년 적층 단수를 늘려왔다.

또 16TB인 기존 제품보다 용량을 2배로 높인 세계 최대 용량의 32TB 서버 SSD를 내년 중 출시할 예정이다. 기존 HDD 시스템을 이 제품으로 대체하면 서버의 물리적 공간을 40분의 1로 줄일 수 있다.

삼성전자는 삼성전기와 고집적 패키지 기술을 공동 개발해 1센트 동전 크기의 초소형 1TB BGA NVMe SSD를 내년 선보일 예정이다. 연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1천500MB/s로 풀HD급 영화 1편(5GB)을 3초에 전송하고 6초에 저장할 수 있다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "고객에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형 솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO 절감 효과를 극대화할 수 있게 했다"고 말했다.