미국의 반도체 기업 인텔과 마이크론이 현재 쓰이는 낸드 플래시 메모리보다 1000배 빠른 새 유형의 메모리 칩을 개발했다고 29일 밝혔다.

이날 공개한 신기술은 비휘발성 메모리 기술인 '3D 크로스 포인트'다. 이 메모리 칩은 전원 공급이 끊기더라도 기억된 내용이 보존되는 '비휘발성 메모리'라는 점은 낸드 플래시 메모리와 같지만 속도가 훨씬 빠르고 수명도 길다는 것이 사측의 설명이다.

두 회사는 "1989년 낸드 플래시가 소개된 이래 최초로 등장한 새로운 메모리 카테고리로서 메모리 프로세스 기술에 있어 가장 기념비적인 혁신이 될 것"이라며 "'3D 크로스 포인트' 기술이 낸드 플래시와 비교해 1000배 빠른 속도, 1000배 증가된 내구성을 자랑하고, 기존의 일반 메모리와 비교해 10배 향상된 용량을 제공한다"고 밝혔다.

인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장 겸 총괄 매니저인 롭 크루크는 "이번에 발표한 새로운 차원의 비휘발성 메모리는 메모리 및 스토리지 솔루션 분야의 업계 판도를 완전히 바꿀 새로운 성능을 제공해줄 것이다"고 밝혔다.

마이크론 사장인 마크 아담스는 "새로운 비휘발성 메모리는 혁신적 기술로 방대한 양의 데이터 셋에 빠르게 엑세스하는 것을 가능하게 함은 물론 완전히 새로운 앱들을 구현할 것이다"고 말했다.